SJ 50033.62-1995 半导体分立器件.3DK406型高压功率开关晶体管详细规范
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2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/62-1995,半导体分立器件,3DK406型高压功率开关晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DK406,high - voltage and power switching transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DK406型高压功率开关晶体管,详细规范,SJ 50033/62-1995,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DK406,high-voltage and p^wer switching transistor,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 3DK406A~D型高反压功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研究、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级逬行分类,1.3.1 器件的等级,GJB 33《半导体分立器件总规范》L3的规定,提供的戻量保证等级为普军、特军和超特军,三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587—84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB128—86 半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3,2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,弓i出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镇层,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01 实施,一 1一,SJ 50033/62-1995,3.2.2 器件结构,采用三重扩散台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 758I的B2-O1C型及如下的规定。见图lo,nun,1一基极,2ー发射极,济B2-91C,inin nom max,A 8.63,12.19,% 1.52,伍0.966 1.092,粕22.86,d 5.46",F 3.50,L 8 13.9,レ1.52,抨3.84 4.21,q 29,90 30.40,Ri 13.58,Ri 4.82,S 16.89*,S 40.13,5 27.17,集电极接外壳.,3.3最大额定值和主要电特性,图1 3DK406外形图,3.3.1最大额定值,注:DTc>25%时按0.5W/V的速率线性地限额,型号,p wtn,TC = 25V,(w),炉C0O,(v),Veto,(V),^EBO,(V),I匚,(A),Ti,CV),3DK406A,75,300 250,6 5 175 - 55.175,3DK406B 350 300,3DK406C 450 400,3DK406D 550 500,-2 -,SJ 50033/62-1995,3.3.2主要电特性(Ta = 25匕),型、限 X,%FEt,Vce=5V,:C = 2,5A,公,/C=245A,Zb = 0,5A,(V),Vbe?*,fc = 2,5A,人=0,5A,(V),Q,1¢ = 3A,Ib = 03A,(ms),も1 ”,53A,1加=f Ibi - 0*3A,(网,R(Mc,%=iov,IC=1A,(V/W),最小值最大值最大值最大值最大值最大值最大值,3DK406A.D 10 1.2 L5 1.2 2.5 L5 2.0,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选(仅对GT和GCT级),筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,?选,(见GJB 33的表2),测试或试验,7.中间电参数测试】CB01和力fUl,8,功率老化,功率老化条件如下:,Tj = 162.5 ±12.513,Vct = 30V,Pw>37,5W,9最后测试,按本规范表1的A2分组,△1的《初始值的100 %或100込,取较大者,△ん世<初始值的士20%,4.4 ,质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定, 4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,—3 —,SI 50033/62-1995,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定:,4.5.I 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2」的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方 法条 件最小值最大值,A1分组,外观及机械检驶,GJB 128,2071,5,A2分组,集电极ー发射极,击穿电压,3DK406A,3DK4Q6B,3DK406C,JDK406D,发射极一基极,击穿电压,集电极一基极,截止电流,集电极ー发射极,截止电械,集电极ー发射极,饱和电压,基极ー发射极,饱和电压,正向电流传输……
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